久保研究室
名古屋工業大学 電気・機械工学専攻 電気電子分野
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22号館極微デバイス次世代材料研究センター
久保俊晴 22-234室
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研究室概要
窒化ガリウム結晶成長およびパワーデバイスの開発(江川先生との共同研究)
当研究室では窒化ガリウム(GaN)半導体の結晶成長を行い、その物性評価を行い、そして電子デバイスを作製しています。 GaN系半導体は、地球環境問題の観点から非常に注目を浴びている材料であり、この材料を用いると高温でも動作する高効率の大電力用電子デバイスを 作製することができます。GaN電子デバイスは将来における電気自動車用のパワーデバイスや携帯電話用基地局、衛星放送通信などのITには必要不可欠の材料・デバイスです。 また、この材料は、GaAsやInPなどの従来の化合物半導体と異なり、AsやPなどの物質を含まないため地球環境にもやさしい材料として注目されています。 現在は、高性能なSi基板上GaNパワーデバイスを作製するため、Si基板上GaN結晶成長に関する研究および金属/酸化物/半導体(MOS)構造を含むデバイス構造に 関する研究を行っています。 実験は主に極微デバイス次世代材料研究センター（２２号館）及び窒化物半導体マルチビジネス創生センター(５６号館)内のクリーンルーム、実験室を使用します。 最近、環境・経済などの様々な問題がありますが、これらの問題を解決し、成長の限界を打破できるような新技術の研究・開発を目指しています。
グラフェンデバイスの開発(三好先生との共同研究)
現代におけるエネルギーの消費形態の一つとして、コンピュータに使用する電力があります。現代社会はデータベースシステム等の 高度なコンピュータシステムで支えられていますが、そのようなシステムにおいて、電力エネルギーの多くが熱として廃棄されています。 また、Si半導体を用いた計算用電子デバイスの性能は物理的限界に達しつつあるため、Si 半導体に代わる材料として、グラフェンをはじめとした 二次元的な層状構造を有する材料が注目され、研究開発が活発に行われています。高性能な新しい電子デバイスが作製されれば、省エネルギー社会 への貢献は大きく、電気エネルギーを有効利用することができます。 当研究室では、グラフェンの製法として、当研究室で新規に考案し原理実証に至った、金属触媒の自己凝集反応を利用したグラフェン成膜プロセスを用い、 「金属パターン付き基板」を利用することで、層数、形状を制御したグラフェン電界効果トランジスタ(FET)の作製を行っています。
新着情報
アクセス
郵便番号 466-8555
住所 名古屋市昭和区御器所町 名古屋工業大学 極微デバイス次世代材料研究センター
TEL 052-735-5583（事務室）