[活動報告]シリコン基板上GaN系パワーデバイス技術の最新開発動向

2015年6月29日に公開シンポジウム「シリコン基板上GaN系パワーデバイス技術の最新開発動向」が名古屋工業大学4号館ホールにて開催されました

「シリコン基板上GaN系パワーデバイス技術の最新開発動向」プログラム

(1) 開会挨拶
13:30 － 13:35 国立大学法人 名古屋工業大学 学長 鵜飼 裕之
13:35 － 13:40 公益財団法人 日比科学技術振興財団 事務局長 石山 郁夫

① 13:40 － 14:00 「窒化物半導体研究の取り組みについて」
名古屋工業大学 極微ﾃﾞﾊﾞｲｽ次世代材料研究ｾﾝﾀｰ／窒化物半導体ﾏﾙﾁﾋﾞｼﾞﾈｽ創生ｾﾝﾀｰ
センター長 教授 江川 孝志

② 14:00 － 14:20 「シリコン基板上への GaN エピタキシャル成長技術」
名古屋工業大学 教授 三好 実人

③ 14:20 － 14:50 「 GaN 電子デバイス用 MOCVD 装置の課題」
大陽日酸株式会社 常務執行役員 松本 功

④ 14:50 － 15:20 「パワーデバイス用材料の欠陥検出と評価」
一般財団法人 ファインセラミックスセンター 主任研究員 石川 由加里

⑤ 15:40 － 16:00 「ノーマリオフ GaN/Si トランジスタのためのゲート絶縁膜形成技術」
名古屋工業大学 助教 久保 俊晴

⑥ 16:00 － 16:20 「 GaN/Si トランジスタのミリ波応用」
名古屋工業大学 准教授 分島 彰男

⑦ 16:20 － 16:50 「 Si 基板上 GaN パワーデバイスと電力変換機器への応用」
パナソニック株式会社 主幹技師 石田 秀俊

⑧ 16:50 － 17:20 「 6-inch GaN HEMT on Si の実用化状況」
トランスフォーム・ジャパン株式会社 セールス＆マーケティング
Senior FAE 小林 由布子