― センター概要 ―    

「窒化物半導体マルチビジネス創生センター」は名古屋工業大学が有する「Ｓｉ基板上にＧａＮ結晶を成長する技術」を核に、窒化物半導体パワーデバイスの実用化・事業化に向けた研究開発を推進する拠点です。この拠点における研究が進めば、これまでの半導体のより省エネ化や小型化が可能となり、家電や次世代自動車等への幅広い展開が期待されます。

本センターの特徴

• 多くの企業の参加の下、大学と一つ屋根の下で共同研究を行うことで、基礎から応用、試作・評価まで一気通貫の研究開発ができるのが最大の特徴です。
• 産学連携体制の構築に向けて、結晶成長・デバイスプロセスに必要な装置の開発、大口径かつ高品質の材料開発、家電・情報通信・自動車等のデバイス開発等それぞれの立場から、企業が参加しています。これらの企業等と、一つ屋根の下で共同研究を推進しています。
• 一つ屋根の下により、装置・材料・デバイスといった一連の工程の研究開発をコンカレントに推進するため、協調領域と競争領域を的確にマネジメントすることが求められます。そのため、名古屋工業大学において、本拠点の運営に関する運営委員会を設置しています。

センター各階の構成

3階「イノベーションフロア」

評価、技術融合を担う創生フロア

2階「マルチビジネスフロア」

マルチビジネスモデルを実用化する産学官連携フロア

1階「クリエーションフロア」

結晶成長・デバイス加工作業を担う誕生フロア

※本センターは、経済産業省が実施するイノベーション拠点立地支援事業（「技術の橋渡し拠点」整備事業）において採択されたものです。