当センターでは一つ屋根の下、結晶成長、デバイスプロセス、回路技術に関する研究を一気通貫で行っています。
本センターでの研究のポイント(及び他の技術に対する強み)
本センターで研究を行う「Ｓｉ基板上でのＧａＮ結晶成長技術」のポイント（及び他の技術に対する強み）は以下の通りです。
①現在半導体で主流となっているＳｉ基板（シリコンウェハ）の上に、ＧａＮ（ガリウムナイトライドという新材料を薄膜成長させ、窒化物半導体パワーデバイスとして用いようという技術
②この窒化物半導体パワーデバイスが実用化されれば、現在主流のＳｉ半導体パワーデバイスに比べ、省エネ化や小型化が可能となり、温暖化ガス排出削減に貢献
③本センターで用いる技術は、大口径Ｓｉ基板の上に新材料のＧａＮを薄膜成長させる方法のため、これまでデバイスメーカーが保有していた設備（機械装置）や技術ノウハウが最大限活用でき、低コストでの製造が可能
公開日：
最終更新日：2016/04/30